[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有多个彼此独立的沟槽；

等离子体注入，在相邻沟槽之间形成阻挡层；

在所述沟槽内形成栅极结构；

在所述半导体衬底内形成沟道区，所述沟道区与所述沟槽对应；

在所述沟槽与所述阻挡层之间，形成源漏区，所述源漏区与所述沟道区电连接，所述阻挡层的导电类型与所述源漏区的导电类型相反。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在相邻沟槽之间形成阻挡层的步骤中，所述阻挡层围绕所述沟槽的外侧面设置，且所述阻挡层与所述沟槽的外侧面之间具有大于零的距离。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅极绝缘层及栅极，在所述沟槽内形成栅极结构的步骤进一步包括：在所述沟槽内形成栅极绝缘材料，所述栅极绝缘材料覆盖所述沟槽侧壁及所述半导体衬底表面；

在所述沟槽内填充导电材料，所述导电材料充满所述沟槽，且覆盖所述半导体衬底表面的栅极绝缘材料；

去除半导体衬底表面的导电材料及栅极绝缘材料，形成位于所述沟槽内的栅极绝缘层及栅极。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底内形成沟道区的步骤进一步包括，对所述半导体衬底进行等离子体注入，形成所述沟道区。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，沟道区的宽度大于所述沟槽的宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，等离子体注入后，进行退火处理，以使沟道区沿所述沟槽侧壁向上延伸。

7.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，改变等离子体注入深度，以使沟道区沿所述沟槽侧壁向上延伸。

8.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述阻挡层的等离子体与形成所述沟道区的等离子体为同种导电类型离子。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述沟槽与所述阻挡层之间，形成源漏区的步骤进一步包括：对所述半导体衬底进行等离子体注入，形成浅掺杂漏及源漏极，所述源漏极通过所述浅掺杂漏与所述沟道区电连接。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述沟槽与所述阻挡层之间，形成源漏区的步骤之后，包括如下步骤：形成钝化层，所述钝化层覆盖所述半导体衬底表面及所述栅极结构表面。

11.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底中形成有多个彼此独立的沟槽；

阻挡层，通过等离子体注入工艺形成在相邻的沟槽之间；

栅极结构，形成在所述沟槽内；

沟道区，形成在半导体衬底中，且与所述沟槽对应；

源漏区，设置在所述沟槽与所述阻挡层之间，且与所述沟道区电连接，所述阻挡层的导电类型与所述源漏区的导电类型相反。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层围绕所述沟槽的外侧面设置，且所述阻挡层与所述沟槽的外侧面之间具有间隔。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构包括覆盖所述沟槽侧壁的栅极绝缘层及填充所述沟槽的栅极。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，沟道区的宽度大于所述沟槽的宽度。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述沟道区设置在所述沟槽底部，且沿所述沟槽侧壁向上延伸。

16.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述半导体衬底表面及所述栅极结构表面。