[发明专利]一种SiC功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010846108.8 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN112103336B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 李立均;林科闯;郭元旭;彭志高;陶永洪 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC功率器件，包括由下至上设置的漏极、衬底和外延层，以及设于外延层上方的栅极和源极，外延层设有P‑离子注入区、P+离子注入区和N+离子注入区；其中栅极位于N+离子注入区之外的部分与外延层之间设有栅氧化层，末端位于N+离子注入区之内的部分与N+离子注入区之间设有附加介质层，且附加介质层的厚度大于栅氧化层的厚度。本发明还公开了上述结构的制作方法。本发明增加了栅极边缘与N+离子注入区之间的介质层厚度，降低了器件正向导通时位于栅极边缘与N+离子注入区之间介质层的最大电场，提高了栅源可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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