[发明专利]一种高频氮化镓肖特基二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010841512.6 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112071897B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 李传皓;李忠辉;潘传奇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种高频氮化镓肖特基二极管外延片及其制备方法，所述高频氮化镓肖特基二极管外延片的结构从下往上依次包括：衬底层、AlN成核层、InAlN成核层、下层非故意掺杂GaN层、上层非故意掺杂GaN层、n |
||
| 搜索关键词： | 一种 高频 氮化 镓肖特基 二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010841512.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
