[发明专利]一种含有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件的制备方法在审
申请号: | 202010829314.8 | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN111952475A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 杨尊先;郭太良;刘佳慧;龚智鹏;张玉飞;陈恩果;吴朝兴;陈耿旭;李福山;王嘉祥 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 丘鸿超;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种含有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件的制备方法,包括以下步骤:选取ITO玻璃作为发光二极管的衬底;配制ZnO前驱体溶液和PEIE溶液并在ITO玻璃上先后旋涂,制得ZnO/PEIE薄膜;配制含有银纳米颗粒的DMF溶液,将含有及不含有银纳米颗粒的DMF溶液作为溶剂溶解钙钛矿,制备钙钛矿前驱体溶液;在ZnO薄膜表面旋涂上述溶液,制得混合有银纳米颗粒的钙钛矿薄膜;配制空穴传输层前驱体溶液并在钙钛矿发光层表面旋涂,干燥形成空穴传输层;将氧化钼和金蒸发到样片上,制得混合有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件。该方法不仅在提高电子空穴浓度的同时提高了钙钛矿的稳定性,而且制备工艺简单,制作成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 含有 纳米 颗粒 钙钛矿 发光二极管 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学,未经福州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010829314.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多功能医院专用病床
- 下一篇:一种降温式防误触键盘
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择