[发明专利]掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法

摘要

本发明涉及一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法，首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备PEDOT：PSS层，而后在依次旋涂得到TFB层、CdSe量子点发光层、ZnO电子传输层以及二氧化硅电极，其中的量子点层中特别使用了经过硅烷偶联剂KH550和十八酸改性后的二氧化硅纳米颗粒进行掺杂，最终形成一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件。本发明薄膜通过二氧化硅纳米颗粒对CdSe掺杂，保证了在量子点的间隙之间被填充，减少了电子空穴通过该间隙进行复合的可能，在保证载流子浓度的情况下，提高了器件的性能。