[发明专利]一种III族氮化物层结构及其制备方法、晶体管有效
| 申请号： | 202010812552.8 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112071741B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 姜全忠 | 申请（专利权）人： | 深圳市奥谱太赫兹技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/778;H01L23/373;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广东良马律师事务所 44395 | 代理人： | 李良 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III族氮化物层结构及其制备方法、晶体管，其中所述方法包括：⑴提供异质生长衬底；⑵在所述异质生长衬底的上表面上依次生长第一成核层和III极性III族氮化物层；⑶除去所述异质生长衬底、所述第一成核层，并暴露出所述III极性III族氮化物的氮极性面得到氮极性衬底；⑷在所述氮极性衬底的上表面上，生长氮极性III族氮化物层结构，所述氮极性III族氮化物层结构包括二维电子气。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 氮化物 结构 及其 制备 方法 晶体管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
