[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202010806936.9 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN112420517A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 赖德洋;张哲豪;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的形成方法，包括在基底上的多个鳍片的上方顺应性的形成一介电层；在介电层的上方顺应性的形成第一高介电常数层；以及在第一高介电常数层的上方形成可流动的氧化物。形成可流动的氧化物包含填充多个鳍片的相邻鳍片之间的第一沟槽。此方法还包括使前述可流动的氧化物下凹，以在多个鳍片的相邻鳍片之间形成第二沟槽；在第一高介电常数层及可流动的氧化物的上方形成第二高介电常数层；进行平坦化工艺以暴露出鳍片顶面；以及下凹介电层以形成多个虚置鳍片，虚置鳍片包含第一和第二高介电常数层与可流动的氧化物的留下部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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