[发明专利]半导体结构的处理方法及形成方法在审
| 申请号： | 202010776360.6 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN114068345A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 郗宁;朱萌 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杨明莉 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的处理方法，包括：提供材料层，材料层包括图形结构，图形结构之间具有沟槽；利用清洗液对图形结构进行清洗，清洗后沟槽内填充有清洗液；形成柔性材料层，柔性材料层置换沟槽内的清洗液，并填满沟槽且覆盖材料层的表面；将柔性材料层干燥硬化，并去除柔性材料层。本发明用柔性材料层置换清洗液，由于柔性材料层填充于沟槽内，在干燥硬化的过程中，柔性材料层始终位于图形结构间的沟槽内对图形结构起到支撑作用，该干燥方式工艺简单，对设备要求较低，也不需要在清洗液中增加额外的表面活性剂，在保护了图形结构完整的前提下降低了生产成本，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 处理 方法 形成 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
