[发明专利]闪存存储器及其制造、使用方法有效
| 申请号： | 202010754242.5 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111725214B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 高超;王哲献;于涛易 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;G11C16/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种闪存存储器及其制造方法、操作方法，闪存存储器包括至少两个间隔设置的闪存单元组，闪存单元组中位于连接区的相邻字线之间设有横跨相邻字线间区域的第一控制栅，从而使相邻字线间用于电连接的控制栅无间距，且在闪存单元组的连接区中，位于边缘字线外侧的第二控制栅沿垂直于字线的延伸方向并远离第一控制栅的端部至少部分突出第一侧墙，以提高闪存存储器的集成度。在编程操作时，对其中之一的闪存单元编程时，对第一控制栅两侧的字线其中之一施加小于零的电压，以减小编程过程中的干扰，在擦除操作时，对同一闪存单元组内的所有字线施加相同电压，以及对所有第一控制栅和第二控制栅施加相同电压，以对同时擦除所有闪存单元，提升工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 存储器 及其 制造 使用方法 | ||
【主权项】：
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