[发明专利]闪存存储器及其制造、使用方法

权利要求书

1.一种闪存存储器，其特征在于，

包括：衬底和设置在所述衬底上的至少两个间隔设置的闪存单元组；其中，所述衬底包括器件区和连接区，所述闪存单元组自所述连接区延伸至所述器件区，位于所述连接区的所述闪存单元组包括：

连接控制栅层，形成在所述衬底上；

至少两个字线，所述字线沿着预定方向延伸，并且所述字线贯穿所述连接控制栅层，以分断所述连接控制栅层为第一控制栅和第二控制栅，其中所述第一控制栅位于相邻所述字线之间，所述第二控制栅位于边缘字线外侧；以及，

第一侧墙，形成在所述第一控制栅和所述第二控制栅的表面上且位于所述字线的侧壁上；以及所述第二控制栅沿垂直于所述字线的延伸方向且远离所述第一控制栅的端部至少部分突出所述第一侧墙，以用于与外部电路电连接，相邻两个所述第二控制栅交错设置。

2.如权利要求1所述的闪存存储器，其特征在于，所述闪存单元组还包括：

第一金属插塞和第一金属线，所述第一金属插塞位于所述第一控制栅的表面上，且所述第一金属插塞一端与所述第一控制栅电连接，另一端与所述第一金属线电连接。

3.如权利要求1所述的闪存存储器，其特征在于，所述闪存单元组还包括：

第二金属插塞和第二金属线，所述第二金属插塞位于所述第二控制栅沿垂直于所述字线的延伸方向突出所述第一侧墙的端部上，且所述第二金属插塞一端与所述端部电连接，另一端与所述第二金属线电连接。

4.如权利要求1所述的一种闪存存储器，其特征在于，所述闪存单元组在垂直于所述字线的延伸方向上依次排布，且相邻的所述闪存单元组之间相邻的所述第一侧墙间的距离为0.2um~0.3um。

5.一种闪存存储器制造方法，其特征在于，所述闪存存储器包括间隔设置的至少两个闪存单元组，所述制造方法包括：

提供衬底，所述衬底包括器件区和连接区，所述器件区包括多个交替设置

的有源区和隔离区；

在所述衬底的所述有源区上形成初始浮栅层；

在所述衬底的所述连接区和所述初始浮栅层上依次形成控制栅材料层和第一掩模层，其中，所述第一掩模层中开设有多个第一开槽，以及在所述第一掩模层的所述第一开槽的侧壁上形成第一侧墙，以在所述第一开槽中界定出第二开槽；

以所述第一掩模层和所述第一侧墙为掩模，刻蚀位于所述连接区的所述控制栅材料层并依次刻蚀位于所述器件区的所述控制栅材料层和所述初始浮栅层，以形成多个第一开口，多个所述第一开口分断所述控制栅材料层为多个初始控制栅以及分断所述器件区的所述初始浮栅层为多个浮栅层；

在所述第一开槽和所述第一开口内形成字线；

去除所述第一掩模层，依次刻蚀位于所述器件区的所述初始控制栅层和所述浮栅层并停止于所述衬底，以在所述器件区形成器件控制栅和浮栅；以及刻蚀位于所述连接区的所述初始控制栅层，以在所述连接区形成连接控制栅层并在所述连接控制栅层中形成至少两个第二开口，其中，相邻所述第二开口之间夹持至少两个字线，位于相邻所述第二开口之间的相邻所述字线间的所述连接控制栅层构成第一控制栅，位于所述第二开口和与所述第二开口相邻的所述字线之间的所述连接控制栅层构成第二控制栅，以及所述第二控制栅沿垂直于所述字线的延伸方向且远离所述第一控制栅的端部至少部分突出所述第一侧墙，其中，所述第二开口为Z字形。

6.如权利要求5所述的闪存存储器制造方法，其特征在于，在所述衬底的所述有源区上形成初始浮栅层的方法包括：

在所述衬底上形成浮栅材料层并在所述浮栅材料层上形成第二掩模层，所述第二掩模层中开设有多个第四开槽，其中，所述第四开槽对应所述器件区的所述隔离区；

以所述第二掩模层为掩模刻蚀所述浮栅材料层以去除位于所述连接区的所述浮栅材料层并在所述衬底的所述有源区上形成所述初始浮栅层。