[发明专利]闪存存储器及其制造、使用方法

说明书

本发明提供的一种闪存存储器及其制造方法、操作方法，闪存存储器包括至少两个间隔设置的闪存单元组，闪存单元组中位于连接区的相邻字线之间设有横跨相邻字线间区域的第一控制栅，从而使相邻字线间用于电连接的控制栅无间距，且在闪存单元组的连接区中，位于边缘字线外侧的第二控制栅沿垂直于字线的延伸方向并远离第一控制栅的端部至少部分突出第一侧墙，以提高闪存存储器的集成度。在编程操作时，对其中之一的闪存单元编程时，对第一控制栅两侧的字线其中之一施加小于零的电压，以减小编程过程中的干扰，在擦除操作时，对同一闪存单元组内的所有字线施加相同电压，以及对所有第一控制栅和第二控制栅施加相同电压，以对同时擦除所有闪存单元，提升工作效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种闪存存储器及其制造、使用方法。

背景技术

闪存(Flash)作为一种非易失性存储器，如今已成为非易失性半导体存储技术的主流。在各种各样的闪存器件中，基本可以分为叠栅结构和分栅结构两种类型。其中，叠栅结构存在过擦除问题，使得其电路设计复杂；相对而言，分栅结构有效避免了过擦除效应，使得电路设计相对简单。此外，相比叠栅结构，分栅结构利用源端热电子注入进行编程，具有更高的编程效率，使得分栅型闪存被广泛应用在各类诸如智能卡、SIM卡、微控制器、手机等电子产品中。

通常而言，在闪存存储器中包含有闪存存储器阵列以及其他电路模块，如灵敏放大器(SensitiveAmplifier，简称SA)、译码器等。存储单元阵列包括多个闪存单元，现有技术中相邻的闪存单元之间往往具有较大的间距，使得闪存存储器阵列的面积较大，而由于闪存存储器阵列的面积紧密地关系到闪存存储器的成本，同时现有闪存存储器操作方法过于复杂。因此，在闪存存储器设计中，如何不断地降低闪存存储器阵列的面积始终是设计者面临的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存存储器及其制造、操作方法，以解决闪存存储器阵列面积过大，集成度不高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种闪存存储器，包括：

衬底和设置在所述衬底上的至少两个间隔设置的闪存单元组；其中，所述衬底包括器件区和连接区，所述闪存单元组自所述连接区延伸至所述器件区，位于所述连接区的所述闪存单元组包括：

连接控制栅层，形成在所述衬底上；

至少两个字线，所述字线沿着预定方向延伸，并且所述字线贯穿所述连接控制栅层，以分断所述连接控制栅层为第一控制栅和第二控制栅，其中所述第一控制栅位于相邻所述字线之间，所述第二控制栅位于边缘字线外侧；以及，

第一侧墙，形成在所述第一控制栅和所述第二控制栅的表面上且位于所述字线的侧壁上；以及所述第二控制栅沿垂直于所述字线的延伸方向且远离所述第一控制栅的端部至少部分突出所述第一侧墙，以用于与外部电路电连接。

可选的，所述闪存单元组还包括：

第一金属插塞和第一金属线，所述第一金属插塞位于所述第一控制栅的表面上，且所述第一金属插塞一端与所述第一控制栅电连接，另一端与所述第一金属线电连接。

可选的，所述闪存单元组还包括：

第二金属插塞和第二金属线，所述第二金属插塞位于所述第二控制栅沿垂直于所述字线的延伸方向突出所述第一侧墙的端部上，且所述第二金属插塞一端与所述端部电连接，另一端与所述第二金属线电连接。

可选的，所述闪存单元组在垂直于所述字线的延伸方向上依次排布，且相邻的所述闪存单元组之间的所述第二控制栅间的距离为0.2um～0.3um。

为解决上述问题，本发明还提供一种闪存存储器制造方法，所述闪存存储器包括间隔设置的至少两个闪存单元组，所述制造方法包括：

提供衬底，所述衬底包括器件区和连接区，所述器件区包括多个交替设置的有源区和隔离区；