[发明专利]半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202010748815.3 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN114068313A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张文文;高箐遥;黄仁瑞 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/311 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供目标材料层；于所述目标材料层上表面形成第一掩膜层及第二掩膜层，所述第一掩膜层与所述第二掩膜层依次叠置于所述目标材料层上；基于所述第一掩膜层刻蚀所述第二掩膜层以形成第二开口图形，所述第二开口图形的侧壁为倾斜侧壁；基于所述第二掩膜层及所述第二开口图形刻蚀所述目标材料层。在基于第二掩膜层对目标材料层进行刻蚀的过程中，第二开口图形的倾斜侧壁会逐步回退，从而使得第二掩膜层下的目标材料层逐步裸露而被刻蚀，从而使得目标材料层各部分被刻蚀的程度不一致，在这种不一致下刻蚀所形成的目标材料层形貌呈一定的倾斜角度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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