[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质在审
| 申请号： | 202010740000.0 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN112309820A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 八幡橘 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;杜嘉璐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，实现利用在等离子生成空间生成的等离子进行的基板处理的优化。基板处理装置具有：处理室，其具有等离子生成空间和处理空间；线圈电极，其配设于等离子生成空间的周围；基板载置部，其载置在处理空间处理的基板；移动机构部，其使基板载置部在处理室内移动；以及控制部，其根据关于基板的处理分布信息控制移动机构部，以使基板与线圈电极的端部之间的距离变化。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 以及 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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