[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质在审
| 申请号： | 202010740000.0 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN112309820A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 八幡橘 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;杜嘉璐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 以及 存储 介质 | ||
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
处理室，其具有等离子生成空间和处理空间；
线圈电极，其配设于上述等离子生成空间的周围；
基板载置部，其载置在上述处理空间处理的基板；
移动机构部，其使上述基板载置部在上述处理室内移动；以及
控制部，其根据关于上述基板的处理分布信息控制上述移动机构部，以使上述基板与上述线圈电极的端部之间的距离变化。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
关于上述控制部，在上述处理分布信息为凸状的处理分布的情况下，若上述处理分布的梯度大于预定阈值，则使上述基板与上述线圈电极的端部之间比预定距离更接近，若上述处理分布的梯度小于上述预定阈值，则使上述基板与上述线圈电极的端部之间比预定距离更远离。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
关于上述控制部，如果上述处理分布信息为凸状的处理分布，则将上述基板与上述线圈电极的端部之间的距离设定为预定距离，如果上述处理分布信息为凹状的处理分布，则将上述基板与上述线圈电极的端部之间的距离设定为比上述预定距离长的距离。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
上述控制部控制上述移动机构部，以在上述线圈电极于上述等离子生成空间生成等离子的期间中使上述距离变化。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
上述线圈电极以沿着上述基板载置部的移动方向延伸的方式卷绕配设。
6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
上述线圈电极以沿着上述基板载置部的移动方向延伸的方式卷绕配设。
7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述控制部控制上述移动机构部，以在上述线圈电极于上述等离子生成空间生成等离子的期间中使上述距离变化。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
上述线圈电极以沿着上述基板载置部的移动方向延伸的方式卷绕配设。
9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述线圈电极以沿着上述基板载置部的移动方向延伸的方式卷绕配设。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
关于上述控制部，如果上述处理分布信息为凸状的处理分布，则将上述基板与上述线圈电极的端部之间的距离设定为预定距离，如果上述处理分布信息为凹状的处理分布，则将上述基板与上述线圈电极的端部之间的距离设定为比上述预定距离长的距离。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
上述控制部控制上述移动机构部，以在上述线圈电极于上述等离子生成空间生成等离子的期间中使上述距离变化。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
上述线圈电极以沿着上述基板载置部的移动方向延伸的方式卷绕配设。
13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
上述线圈电极以沿着上述基板载置部的移动方向延伸的方式卷绕配设。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述控制部控制上述移动机构部，以在上述线圈电极于上述等离子生成空间生成等离子的期间中使上述距离可变。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
上述线圈电极以沿着上述基板载置部的移动方向延伸的方式卷绕配设。
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