[发明专利]一种高质量大直径SiC单晶的制备装置及方法在审
| 申请号： | 202010729591.1 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111793826A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘新辉;杨昆;张福生;路亚娟;牛晓龙;尚远航 | 申请（专利权）人： | 河北同光科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 许莉 |
| 地址： | 071051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高质量大直径SiC单晶的制备装置及方法，属于SiC晶体生长领域，该装置包括坩埚、保温层、加热装置和多孔石墨桶；其中，所述坩埚位于保温层内；所述加热装置位于所述保温层的外侧；籽晶和所述多孔石墨桶位于坩埚内，与坩埚同轴；本发明SiC生长组分采用从坩埚外侧的原料到内侧的籽晶的输运方式，晶体生长的过程就是自然扩径过程，晶体直径扩大不受限制，同时晶体沿非极性生长面生长，穿透位错密度相比沿C轴生长大大降低；挨着坩埚壁而受热碳化的SiC原料产生的C颗粒被内侧的SiC原料和多孔石墨层有效阻挡，减少了晶体中的C包裹物，晶体质量得到了有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 直径 sic 制备 装置 方法 | ||
【主权项】：
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