[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010721417.2 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112466923A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 星保幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供能抑制边缘终端区处的破坏的半导体装置(600)，具备供主电流流通的有源区(150)；包围有源区的周围的栅极环区(160)；包围栅极环区的周围的源极环区(170)；包围源极环区的周围的终端区(168)。有源区具有第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层(6)；第一导电型的第一半导体区(7)；栅极绝缘膜(9)；第一栅电极(10a)；层间绝缘膜(11)；第一个第一电极(12a)；第一镀膜(14a)；第二电极(13)。源极环区具有半导体基板；第一半导体层；第二半导体层；设置于第二半导体层的表面的第二个第一电极(12b)；设置于第二个第一电极上的第二镀膜(14b)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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