[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

有源区，其有主电流流通；

栅极环区，其包围所述有源区的周围；

环区，其包围所述栅极环区的周围；以及

终端区，其包围所述环区的周围，

所述有源区具有：

第一导电型的半导体基板；

第一导电型的第一半导体层，其设置于所述半导体基板的正面，且杂质浓度比所述半导体基板的杂质浓度低；

第二导电型的第二半导体层，其设置于所述第一半导体层的、与所述半导体基板侧相反侧的表面；

第一导电型的第一半导体区，其选择性地设置于所述第二半导体层的、与所述半导体基板侧相反侧的表面层；

栅极绝缘膜，其与所述第二半导体层接触；

第一栅电极，其设置于所述栅极绝缘膜的、与所述第二半导体层接触的面相反侧的表面；

层间绝缘膜，其设置于所述第一栅电极上；

第一个第一电极，其设置于所述第二半导体层和所述第一半导体区的表面；

第一镀膜，其选择性地设置于所述第一个第一电极上；以及

第二电极，其设置于所述半导体基板的背面，

所述栅极环区具有：

所述半导体基板；

所述第一半导体层；

所述第二半导体层；

第一绝缘膜，其与所述第二半导体层接触；

第二栅电极，其设置于所述第一绝缘膜的、与所述第二半导体层接触的面相反侧的表面；以及

栅极布线电极，其设置于所述第二栅电极上，

所述环区具有：

所述半导体基板；

所述第一半导体层；

所述第二半导体层；

第二个第一电极，其设置于所述第二半导体层的表面；以及

第二镀膜，其设置于所述第二个第一电极上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述有源区还具有沟槽，所述沟槽贯穿所述第一半导体区和所述第二半导体层，并到达所述第一半导体层，

所述第一栅电极隔着所述栅极绝缘膜设置于所述沟槽的内部。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极环区具有未设置所述栅极布线电极的隔断区域，

在所述隔断区域设置有将所述第一个第一电极与所述第二个第一电极电连接的第一短路电极。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在所述隔断区域，未设置所述第二栅电极。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述栅极布线电极上局部地设置有第二绝缘膜，

在所述第二绝缘膜上设置有将所述第一个第一电极与所述第二个第一电极电连接的第一短路电极。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第一镀膜上设置有第一焊料，

在所述第一焊料上设置有第一电极引脚，

在所述第二镀膜上设置有第二焊料，

在所述第二焊料上设置有第二电极引脚，

所述半导体装置设置有将所述第一电极引脚与所述第二电极引脚电连接的第二短路电极。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第二个第一电极与所述第二半导体层的表面接触的部分的面积比所述第一个第一电极与所述第二半导体层和所述第一半导体区的表面接触的部分的面积大2倍以上。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述有源区为矩形的形状，

在包围所述有源区和所述栅极环区的周围的所述环区的角部，所述第二个第一电极的宽度比所述第二个第一电极的直线部的宽度宽。