[发明专利]绝缘体上硅结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010678134.4 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN111816666A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 周洁鹏;贡祎琪 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘体上硅结构，包括绝缘衬底上形成的ISSG氧化层，ISSG氧化层上形成的ALD氧化层，还包括：氧化处理层，其形成于ISSG氧化层和ALD氧化层之间，其用于与ISSG氧化层上的氢(H)原子和/或氮(N)原子发生氧化反应。本发明还公开了一种绝缘体上硅结构制作方法。本发明能消除由于凸点缺陷造成的硅残留对器件性能及均一性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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