[发明专利]绝缘体上硅结构及其制作方法

说明书

本发明公开了一种绝缘体上硅结构，包括绝缘衬底上形成的ISSG氧化层，ISSG氧化层上形成的ALD氧化层，还包括：氧化处理层，其形成于ISSG氧化层和ALD氧化层之间，其用于与ISSG氧化层上的氢(H)原子和/或氮(N)原子发生氧化反应。本发明还公开了一种绝缘体上硅结构制作方法。本发明能消除由于凸点缺陷造成的硅残留对器件性能及均一性的影响。

技术领域

本发明半导体领域领域，特别是涉及一种绝缘体上硅结构。本发明还涉及一种绝缘体上硅结构制作方法。

背景技术

绝缘体上硅(SOI全称为Silicon-On-Insulator)，该技术是在顶层硅和背衬底之间引入至少一层埋氧化层。主要是指硅晶体管结构在绝缘体之上的意思，原理就是在硅晶体管之间，加入绝缘体物质，可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。优点是可以较易提升时脉，并减少电流漏电成为省电的IC，在工艺上还可以省略部分光掩模以节省成本，因此不论在工艺上或是电路上都有其优势。

现有22nm SOI在AA Pad OX采用ISSG(In Situ Steam Generation)+ALD(Atomlayer deposition)OX替代HTO，这样的优势在于硅损失会比较少，有源区氧化层厚度更容易控制。但是在采用(ISSG+ALD)氧化工艺的时候，在有源区回刻(AA pull back)时发现凸点缺陷(bump defect)，在有源区刻蚀(AA ETCH)之后会有Si残留，影响器件性能。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种能避免由于有源区回刻凸点缺陷造成有源区刻蚀之后存在硅残留的绝缘体上硅结构。

本发明要解决的另一技术问题是提供一种能避免由于有源区回刻凸点缺陷造成有源区刻蚀之后存在硅残留的绝缘体上硅制作方法。

为解决上述技术问题，本发明提供一种绝缘体上硅结构，包括绝缘衬底上形成的ISSG氧化层，ISSG氧化层上形成的ALD氧化层，还包括：

氧化处理层，其形成于ISSG氧化层和ALD氧化层之间，其用于与ISSG氧化层上的氢(H)原子和/或氮(N)原子发生氧化反应。

可选择的，进一步改进所述的绝缘体上硅结构，氧化处理层在ISSG氧化层上由02反应形成。

可选择的，进一步改进所述的绝缘体上硅结构，其能用于全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)。

本发明提供一种绝缘体上硅(SOI)制作方法，包括以下步骤：

S1，在绝缘衬底上形成的ISSG氧化层；

S2，在ISSG氧化层上形成氧化处理层，所述氧化处理层用于与ISSG氧化层上的氢(H)原子和/或氮(N)原子发生氧化反应；

S3，在氧化处理层上形成ALD氧化层。

可选择的，进一步改进所述的绝缘体上硅制作方法，氧化处理层在ISSG氧化层上由02反应形成。

可选择的，进一步改进所述的绝缘体上硅制作方法，其能用于全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)。

本发明的原理如下：