[发明专利]一种存储器电路及其存储器修补方法在审
| 申请号： | 202010673163.1 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113724777A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 邱创隆 | 申请（专利权）人： | 珠海南北极科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 崔玥 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储器电路及其存储器修补方法。所述存储器电路，包括一第一存储器阵列以及一第二存储器阵列，所述第一存储器阵列与所述第二存储器阵列是各自独立的，所述第一存储器阵列包括多个一般位元，所述第二存储器阵列包括多个备用位元，所述第一存储器阵列中的不佳位元的位址储存在第二存储器阵列中，所述存储器电路根据所述位址让多个所述备用位元的其中一个取代不佳位元。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 电路 及其 修补 方法 | ||
【主权项】：
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