[发明专利]一种存储器电路及其存储器修补方法

权利要求书

1.一种存储器修补方法，其特征在于，所述方法具体包括下列步骤：

A.根据一第一位址资料由一第一存储器阵列中选取一第一列，其中所述第一列具有多个一般位元分为多个群组；

B.根据所述第一位址资料由一第二存储器阵列中选取一第二列，其中所述第二列包含多个旗标位元用于标记多个所述群组是否具有不佳位元、多个位址位元组用于储存多个不佳位元位址以及多个备用位元用于取代不佳位元，多个所述不佳位元位址是不佳位元在多个所述群组中的相对位址；

C.根据一第二位址资料产生一行位址；

D.查找与所述行位址对应的旗标位元，若所述对应的旗标位元具有一第一状态资料时，从多个所述位址位元组中取得对应的不佳位元位址；

E.从多个所述备用位元中选取其中一个取代与所述对应的不佳位元位址对应的不佳位元。

2.如权利要求1所述的存储器修补方法，其特征在于，该步骤D包括：

根据所述对应的旗标位元在具有所述第一状态资料的旗标位元中的顺序，从多个所述位址位元组取得所述对应的不佳位元位址。

3.如权利要求1所述的存储器修补方法，其特征在于，该步骤D包括：

将多个所述位址位元组分为多个位址群组，多个所述位址群组各包括至少一个位址位元组；

根据所述对应的旗标位元在具有所述第一状态资料的旗标位元中的顺序，从多个所述位址群组中选取其中之一；

从所选取的位址群组取得所述对应的不佳位元位址。

4.如权利要求1所述的存储器修补方法，其特征在于，该步骤E包括：

当所述行位址与所述对应的不佳位元位址匹配时，根据所述对应的旗标位元在具有所述第一状态资料的旗标位元中的顺序，从多个所述备用位元中选取其中一个取代所述对应的不佳位元。

5.一种存储器电路，其特征在于，包括：

一第一存储器，具有一第一存储器阵列，所述第一存储器阵列的每一列具有多个一般位元分为多个群组；

一第二存储器，具有一第二存储器阵列，所述第二存储器阵列的每一列包含多个旗标位元用于标记多个所述群组是否具有不佳位元、多个位址位元组用于储存多个不佳位元位址以及多个备用位元用于取代不佳位元；

其中，多个所述旗标位元具有一第一状态资料时，代表对应的群组具有不佳位元，多个所述旗标位元具有一第二状态资料时，代表对应的群组无不佳位元；

其中，多个所述不佳位元位址是不佳位元在多个所述群组中的相对位址。

6.如权利要求5所述的存储器电路，其特征在于，所述第二存储器包括：

一列缓冲器；

一列译码器，连接所述第二存储器阵列及所述列缓冲器，根据一第一位址资料从所述第二存储器阵列中选取其中一列连接至所述列缓冲器；

一行译码器，根据一第二位址资料产生一行位址；

一修补电路，连接所述列缓冲器及所述行译码器，将所述行位址与所取得的不佳位元位址进行比对，若所述行位址与所述所取得的不佳位元位址匹配，所述修补电路产生一修补资料；

一多工器，连接所述第一存储器及所述修补电路，根据所述修补资料从多个所述备用位元中选取其中一个取代与所述所取得的不佳位元位址对应的不佳位元。

7.如权利要求6所述的存储器电路，其特征在于，所述修补电路根据具有所述第一状态资料的旗标位元的顺序，从多个所述位址位元组取得所述所取得的不佳位元位址。

8.如权利要求6所述的存储器电路，其特征在于，多个所述位址位元组分为多个位址群组，多个所述位址群组各包括至少一个位址位元组，所述修补电路根据具有所述第一状态资料的旗标位元的顺序，从多个所述位址群组中选取其中之一以取得所述所取得的不佳位元位址。

9.如权利要求6所述的存储器电路，其特征在于，所述第一存储器与所述第二存储器在一个封装中。

10.如权利要求6所述的存储器电路，其特征在于，所述第一存储器与所述第二存储器整合在一个系统单晶片中。