[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010673026.8 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN112563318A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 锺政庭;蔡庆威;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开半导体装置与其形成方法。例示性的半导体装置包括鳍状物基板，具有第一掺质浓度；抗击穿层，位于鳍状物基板上，其中抗击穿层具有第二掺质浓度，且第二掺质浓度大于第一掺质浓度；纳米结构，包括多个半导体层位于抗击穿层上；栅极结构，位于纳米结构上并包覆半导体层的每一者，其中栅极结构包括栅极介电层与栅极；第一外延的源极/漏极结构与第二外延的源极/漏极结构位于抗击穿层上，其中栅极结构位于第一外延的源极/漏极结构与第二外延的源极/漏极结构之间；以及隔离层，位于抗击穿层与鳍状物基板之间，其中隔离层的材料与栅极介电层的材料相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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