[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010673026.8 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN112563318A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 锺政庭;蔡庆威;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一鳍状物基板，具有一第一掺质浓度；
一抗击穿层，位于该鳍状物基板上，其中该抗击穿层具有一第二掺质浓度，且该第二掺质浓度大于该第一掺质浓度；
一纳米结构，包括多个半导体层位于该抗击穿层上；
一栅极结构，位于该纳米结构上并包覆所述多个半导体层的每一者，其中该栅极结构包括一栅极介电层与一栅极；
一第一外延的源极/漏极结构与一第二外延的源极/漏极结构位于该抗击穿层上，其中该栅极结构位于该第一外延的源极/漏极结构与该第二外延的源极/漏极结构之间；以及
一隔离层，位于该抗击穿层与该鳍状物基板之间，其中该隔离层的材料与该栅极介电层的材料相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010673026.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
