[发明专利]多阈值电压器件以及相关联的技术和结构在审
| 申请号： | 202010671465.5 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN111785780A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | J·M·施泰格瓦尔德;T·加尼;J·胡;I·R·C·波斯特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/78;H01L27/088;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张亚峰 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的实施例描述了多阈值电压器件以及相关联的技术和结构。在一个实施例中，一种装置包括：半导体衬底、被设置在半导体衬底上的沟道体、具有第一厚度并且与沟道体耦合的第一栅极电极以及具有第二厚度并且与沟道体耦合的第二栅极电极，其中，第一厚度大于第二厚度。可以描述和/或请求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值 电压 器件 以及 相关 技术 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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