[发明专利]半导体器件及其测试方法在审
| 申请号： | 202010598144.7 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113035842A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 金支焕;吴相默;李东郁 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其测试方法。半导体器件可以包括：第一穿通电极至第n穿通电极；第一穿通电极驱动电路至第n穿通电极驱动电路，其适用于将第一穿通电极至第n穿通电极充电至第一电压电平，或将第一穿通电极至第n穿通电极放电至第二电压电平；以及第一错误检测电路至第n错误检测电路，每个错误检测电路适用于将第一穿通电极至第n穿通电极的对应穿通电极的第一电压电平或第二电压电平储存为下行检测信号和上行检测信号，并且通过顺序地掩蔽下行检测信号和上行检测信号而输出第一错误检测信号至第n错误检测信号中的对应的错误检测信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 测试 方法 | ||
【主权项】：
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