[发明专利]碳化硅MOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅MOSFET器件有效
| 申请号： | 202010591568.0 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111933685B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 王亚飞;陈喜明;李诚瞻;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;金淼 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本公开提供一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅MOSFET器件，所述元胞结构包括：位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；其中，在元胞结构两侧，于所述漂移层表面向下设置有侧部沟槽，以在所述漂移层表面于所述元胞结构中心位置形成凸台；位于所述侧部沟槽下方的第二导电类型阱区；位于所述阱区表面内的第一导电类型源区；设置于所述漂移层内，且位于所述凸台的顶部和侧壁以及所述侧部沟槽的底部靠近所述凸台的一侧的下方的第二导电类型屏蔽区。屏蔽区的加入，可大幅降低阻断态下器件的栅极氧化层的电场应力，大幅提高长期使用的可靠性。而且屏蔽区对器件导通特性的影响很小，可实现良好的栅极氧化层的电场应力和导通电阻之间的折中关系。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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