[发明专利]具有防护柱的半导体存储装置及其制造方法在审
申请号: | 202010559208.2 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN113823629A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 林昶鸿 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种具有防护柱的半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置包括衬底、多个位线结构、多个触点、多个防护柱以及多个电容器。所述衬底具有存储区以及围绕所述存储区的周边区。所述多个位线结构彼此平行地设置于所述存储区中的所述衬底上。所述多个触点设置于相邻的所述位线结构之间,且与所述衬底电连接。所述多个防护柱设置于所述衬底上且位于所述存储区与所述周边区的交界处的相邻的所述位线结构之间。所述多个电容器设置于所述多个触点上而与所述多个触点电连接。 | ||
搜索关键词: | 具有 防护 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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