[发明专利]DRAM氧化物电极、DRAM及其应用在审

专利信息
申请号: 202010545328.7 申请日: 2020-06-15
公开(公告)号: CN111883517A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 徐光伟;熊文豪;龙世兵;赵晓龙;白卫平 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L27/108
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘歌
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种DRAM氧化物电极、DRAM及其应用,该氧化物电极采用的材料包括RuOx、IrOx、PdOx、PtOx、AgOx、AuOx、Ga2O3中的任一种或多种组合。本发明针提出新的电极材料,包括高功函数的金属氧化物电极RuOx、IrOx、PdOx、PtOx、AgOx和AuOx,以及金属氧化物半导体Ga2O3;本发明氧化物电极与氧化物介电材料结合界面更好,可以减少缺陷和抑制低介电层的形成,进一步降低漏电和提高电容密度。
搜索关键词: dram 氧化物 电极 及其 应用
【主权项】:
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