[发明专利]氮化物器件及其ESD防护结构和制作方法有效
| 申请号： | 202010543656.3 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN112038336B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 徐宁;蔡文必;刘成;林育赐;叶念慈 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/778;H01L21/335;H01L29/40;H01L29/20 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物器件的ESD防护结构，具有该ESD防护结构的氮化物器件及制作方法，氮化物器件的外延结构下至上包括衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，并通过隔离形成有源区和设置于有源区之外的ESD防护结构区；所述有源区上设有源极、漏极、栅极以及场板；所述ESD防护结构区于势垒层上依次设有第一P型氮化物层和金属层并形成ESD防护结构；其中金属层与场板电性连接。本发明的ESD防护结构可以提高氮化物器件制备阶段的ESD防护能力，且不额外占用芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 器件 及其 esd 防护 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南三安半导体有限责任公司，未经湖南三安半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010543656.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
