[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010538103.9 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN113809175A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;王胜;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的底层纳米线；位于底层纳米线上的第一纳米结构和第二纳米结构，所述第一纳米结构和第二纳米结构之间具有第一开口，所述第一开口的底部平面高于所述衬底表面；位于第一开口内的隔离结构；位于衬底上的栅极结构，所述栅极结构横跨所述隔离结构、第一纳米结构和第二纳米结构。所述半导体结构的性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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