[发明专利]竖直半导体装置及其制造方法

摘要

提供了一种竖直半导体装置及其制造方法。所述竖直半导体装置包括：共源半导体层，其位于衬底上；支撑层，其位于共源半导体层上；交替地堆叠在支撑层上的栅极和层间绝缘层；沟道图案，其在与衬底的上表面垂直的第一方向上延伸，同时穿过栅极和支撑层，支撑层的面对沟道图案的侧壁相对于栅极的面对沟道图案的侧壁偏移；以及信息存储层，其在栅极与沟道图案之间延伸，信息存储层至少延伸到支撑层的面对沟道图案的侧壁。