[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010460046.7 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN112723299A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 谢元智;林宏桦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明实施例提供一种微机电系统MEMS结构，其包含：装置衬底，其具有第一区及不同于所述第一区的第二区；罩盖衬底，其经接合于所述装置衬底上方；第一腔，其在所述第一区中且介于所述装置衬底与所述罩盖衬底之间，其中所述第一腔具有第一腔压力；第二腔，其在所述第二区中且介于所述装置衬底与所述罩盖衬底之间，其中所述第二腔具有低于所述第一腔压力的第二腔压力；钝化层，其在所述第一腔中；释气材料，其在所述钝化层上方，其中所述释气材料包括顶表面及经暴露到所述第一腔的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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