[发明专利]半导体器件及相关制作方法在审
| 申请号： | 202010386176.0 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111584615A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈斌 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及相关制作方法，该半导体器件包括衬底以及并列在衬底上的隔离区和外延层，外延层中包括金属氧化物半导体器件，隔离区的上层为第二漂移区，隔离区分为两层，其各自的厚底小于外延层的厚度，可以在增加外延层的厚度的同时维持较低的退火热预算，降低杂质的横向扩散，提高半导体器件的表面利用率，降低成本；该半导体器件的制作方法将外延层的制作分为多层，同时也将隔离区的制作分为与外延层层数相匹配的多层，降低隔离区之间以及隔离区至相邻层的连接的深度，进而降低连接所需的退火时间或、和退火温度，降低隔离区杂质的横向扩散，降低隔离区的宽度，提高半导体器件的面积利用率，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 相关 制作方法 | ||
【主权项】：
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