[发明专利]半导体器件及相关制作方法在审
| 申请号： | 202010386176.0 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111584615A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈斌 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 相关 制作方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
外延层，位于所述衬底上；
隔离区，位于所述衬底上，侧壁与所述外延层的侧壁接触，隔离所述外延层，所述隔离区的厚度小于所述外延层的厚度；以及，
第二漂移区，位于所述隔离区上，侧壁与所述外延层的侧壁接触，与所述隔离区一同完全隔离所述外延层；
金属氧化物半导体器件，位于所述外延层或、和所述第二漂移区中，所述金属氧化物半导体器件包括位于所述外延层中的第一漂移区。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，还包括：
埋层，位于所述衬底与所述外延层之间。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述外延层通过先后制作第一外延层和第二外延层获得，其中，所述隔离区设置在所述第一外延层中，所述第二漂移区设置在所述第二外延层中。
4.一种半导体器件的制作方法，包括：
在衬底上制作衬底；
在所述衬底上制作第一外延层；
在所述第一外延层中制作第一隔离区；
在完成第一隔离区制作的所述第一外延层上制作第二外延层；
在所述第二外延层中与所述隔离区相对应的位置制作第二隔离区；
在所述第二外延层上制作金属氧化物半导体器件；其中，
以注入和高温退火的方式实现所述第一隔离区连接至所述衬底和所述第二隔离区连接至所述第一隔离区。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其中，
所述第二隔离区为第二漂移区，所述金属氧化物半导体器件包括至少位于所述第二外延层中的第一漂移区。
6.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其中，
在所述第一外延层和所述第二外延层之间还包括至少一层外延层，以及与所述至少一层外延层相匹配的至少一个隔离区，所述至少一个隔离区与其上下层的隔离区连接。
7.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其中，
所述注入和高温退火为预注入完所述第一隔离区和所述第二隔离区后再进行高温退火。
8.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其中，
在制作所述第一外延层之前还在所述衬底上制作埋层。
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