[发明专利]替换性金属栅极晶体管有效
| 申请号： | 202010344243.2 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN111490103B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张郢;丝特芬·舍曼 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种替换性金属栅极晶体管，包括沟槽以及层。沟槽，具有底部、第一侧壁以及第二侧壁。层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50％。于制作替换性金属栅极晶体管时，可减少沟槽的长宽比。 | ||
| 搜索关键词： | 替换 金属 栅极 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司，未经瓦里安半导体设备公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010344243.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
