[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010328310.1 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113555285A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干鳍部结构，相邻的鳍部结构之间具有隔离沟槽；在隔离沟槽内形成第一隔离层；在第一隔离层表面形成填充满隔离沟槽的第二隔离层；去除第一隔离层。本发明的技术方案中，通过去除第一隔离层，使得第二隔离层分别与相邻的鳍部结构之间形成间隙，在进行牺牲层去除时，能够同时从牺牲层的两侧侧壁同时进行，有效提升刻蚀去除的效率；在进行栅极结构的形成过程中，能够同时从栅极槽的两侧同时进行沉积形成，有效提升栅极结构的形成效率。另外，通过先形成第二隔离层，避免了后续再对伪栅极结构进行切断，省去光罩掩膜刻蚀的步骤，降低工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
