[发明专利]碳化硅器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010328130.3 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113555277A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;夏长奉;苏巍;周国平 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/16 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅器件及其制备方法。该方法包括提供具有第一厚度的碳化硅，在所述碳化硅的表面形成氧化层，并在所述氧化层的表面进行氢注入，被注入的氢穿过所述氧化层，进入所述碳化硅；提供氮化铝；进行所述碳化硅与所述氮化铝的键合，其中，具有氢注入的所述碳化硅的表面朝向所述氮化铝；进行退火和分离工艺，获得衬底和具有第二厚度的碳化硅，其中，所述衬底和所述具有第二厚度的碳化硅的分离位置为氢注入深度的位置；在所述衬底的正面形成碳化硅外延层；在所述碳化硅外延层上形成碳化硅器件。通过该方法得到碳化硅器件的制备过程中仅使用了部分单晶碳化硅，降低了碳化硅器件的衬底成本，进而降低了碳化硅器件的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
