[发明专利]一种半导体功率芯片用金刚石单晶基片在审
| 申请号： | 202010300673.4 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111446294A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 张新峰;黄国丰;龙安泽;王炜;曹磊 | 申请（专利权）人： | 江苏卓远半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16 |
| 代理公司： | 盐城市苏知桥知识产权代理事务所(普通合伙) 32439 | 代理人： | 耿丹丹 |
| 地址： | 226500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体基片技术领域，且公开了一种半导体功率芯片用金刚石单晶基片，包括以下步骤：1）将半导体材料加热至4000摄氏度状态，得到熔融半导体基片。该一种半导体功率芯片用金刚石单晶基片，通过在P型披覆层植入磷，N型披覆层植入钡和锂，并通过N型欧姆电极连接和P型欧姆电极与金刚石薄片连接，形成具有金刚石单晶PIN二极体的基片，植入磷的P型披覆层与植入钡和锂的N型披覆层形成性能相当的可调式电子元件，并且通电产生的反应催生金刚石单晶，由于金刚石单晶这种材料具备超宽能隙，超过碳化硅与氮化镓，它的超宽能隙可防止在高温下产生热量，即使在非常高的温度和辐射强度下，金刚石单晶仍然保持透明，实现了具有极佳的散热性能，提高了使用寿命和传输效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 芯片 金刚石 单晶基片 | ||
【主权项】：
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