[发明专利]隔离封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010294842.8 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN111477553B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 严阳阳;曹立强 | 申请（专利权）人： | 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48;H01L25/16;H01L23/488;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 200000 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种隔离封装结构及其制造方法，所述隔离封装结构的制造方法包括：在晶圆上形成阶梯孔结构，所述阶梯孔结构具有多个侧壁高度不同的孔结构；对所述阶梯孔结构的侧壁和表面进行金属化工艺，形成金属屏蔽层；将一个或多个芯片贴装至转接板上，在所述转接板上附连一个或多个金属连接线，每个所述金属连接线至少与一个所述芯片电性连接；将所述晶圆附连至所述转接板上，使所述芯片及所述金属连接线容置于所述阶梯孔结构的内部；在所述阶梯孔结构的内部填充绝缘材料；对所述晶圆的表面进行研磨直至暴露出至少一个所述金属连接线；在所述晶圆的表面形成第一再分布线层，所述第一再分布线层将至少一个所述金属连接线的电性引出。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010294842.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
