[发明专利]隔离封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种隔离封装结构的制造方法，其特征在于，所述隔离封装结构的制造方法包括：

在晶圆上形成阶梯孔结构，所述阶梯孔结构具有多个侧壁高度不同的孔结构；

对所述阶梯孔结构的侧壁和表面进行金属化工艺，形成金属屏蔽层；

将一个或多个芯片贴装至转接板上，在所述转接板上附连一个或多个金属连接线，每个所述金属连接线至少与一个所述芯片电性连接；

将所述晶圆附连至所述转接板上，使所述芯片及所述金属连接线容置于所述阶梯孔结构的内部；

在所述阶梯孔结构的内部填充绝缘材料；

对所述晶圆的表面进行研磨直至暴露出至少一个所述金属连接线；

在所述晶圆的表面形成第一再分布线层，所述第一再分布线层将至少一个所述金属连接线的电性引出。

2.如权利要求1所述的隔离封装结构的制造方法，其特征在于，所述在晶圆上形成阶梯孔结构包括：

对所述晶圆进行第一次光刻工艺，在所述晶圆的表面上形成第一刻蚀掩膜；

对所述晶圆进行第一次干法或湿法刻蚀，在所述晶圆的表面上形成第一阶梯平台，所述第一刻蚀掩膜覆盖处形成第一阶梯面；

对所述晶圆进行第二次光刻工艺，在所述晶圆的表面上形成第二刻蚀掩膜；

对所述晶圆进行第二次干法或湿法刻蚀，在所述第一阶梯平台的表面上分别形成第二阶梯镂空结构和第二阶梯面；

所述第一阶梯面高于所述第二阶梯面。

3.如权利要求2所述的隔离封装结构的制造方法，其特征在于，所述晶圆的厚度为330微米～370微米；

所述第一阶梯平台相对于所述第一阶梯面的深度为10微米～30微米，所述第二阶梯镂空结构相对于所述第一阶梯平台的深度为320微米～340微米。

4.如权利要求1所述的隔离封装结构的制造方法，其特征在于，所述转接板通过下列步骤制作：

衬底附连至载具上；

在所述衬底上形成TSV孔；

在所述衬底第一表面形成钝化层和布线层，并在所述布线层上生长金属凸块，所述布线层与所述TSV孔电性连接；

包覆所述衬底，去掉所述载具，减薄所述衬底的第二表面暴露出所述TSV孔，在所述第二表面上形成钝化层和再布线层，所述再布线层与所述TSV孔电性连接；

减薄所述第一表面以暴露出所述布线层上的金属凸块，在暴露出的金属凸块上生长焊球凸点。

5.如权利要求4所述的隔离封装结构的制造方法，其特征在于，将芯片贴装至转接板上，在所述转接板上附连金属连接线包括：

所述芯片的背面正对所述转接板；

进行金属丝键合工艺，在所述芯片与所述再布线层之间形成金属连接线，和/或

进行直拉金属丝工艺，在所述芯片与所述第一再分布线层之间形成金属连接线，和/或

进行直拉金属丝工艺，在所述再布线层与所述第一再分布线层之间形成金属连接线。

6.如权利要求1所述的隔离封装结构的制造方法，其特征在于，将所述晶圆附连至所述转接板上包括：

利用低温键合材料或导电粘接胶将所述晶圆与所述转接板粘接；

所述低温键合材料或导电粘接胶包括Sn焊料、Sn3.5Ag焊料、SnAgCu焊料、In焊料及银浆粘接胶。

7.如权利要求2所述的隔离封装结构的制造方法，其特征在于，在所述阶梯孔结构的内部填充绝缘材料后对所述晶圆的表面进行研磨包括：

在所述晶圆表面涂覆热固化型高分子聚合物溶液，利用真空处理工艺使所述第一阶梯面、所述第二阶梯镂空结构、所述第二阶梯面与所述芯片及所述转接板之间的空间被完全填满，对所述热固化型高分子聚合物溶液进行热固化处理，形成高分子聚合物层；

通过对所述晶圆表面的高分子聚合物层进行机械研磨或化学机械抛光工艺，去除所述晶圆表面多余的高分子聚合物层，直至所述金属屏蔽层及所述金属连接线暴露出来。

8.如权利要求7所述的隔离封装结构的制造方法，其特征在于，所述高分子聚合物层是围绕在所述芯片和所述金属连接线四周的绝缘材料，所述金属屏蔽层是围绕在所述高分子聚合物层四周的整圈的屏蔽层。