[发明专利]隔离封装结构及其制造方法

说明书

本发明提供了一种隔离封装结构及其制造方法，所述隔离封装结构的制造方法包括：在晶圆上形成阶梯孔结构，所述阶梯孔结构具有多个侧壁高度不同的孔结构；对所述阶梯孔结构的侧壁和表面进行金属化工艺，形成金属屏蔽层；将一个或多个芯片贴装至转接板上，在所述转接板上附连一个或多个金属连接线，每个所述金属连接线至少与一个所述芯片电性连接；将所述晶圆附连至所述转接板上，使所述芯片及所述金属连接线容置于所述阶梯孔结构的内部；在所述阶梯孔结构的内部填充绝缘材料；对所述晶圆的表面进行研磨直至暴露出至少一个所述金属连接线；在所述晶圆的表面形成第一再分布线层，所述第一再分布线层将至少一个所述金属连接线的电性引出。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种隔离封装结构及其制造方法。

背景技术

传统射频/微波多芯片系统晶圆级封装，多采用包含盲腔的硅帽结构进行芯片间隔，并在硅帽内嵌硅通孔(TSV)实现芯片电信号引出。但是，该结构存在以下问题：首先，为了降低TSV插损，硅帽结构多采用高阻硅衬底，造价较高；现有方案中，硅帽结构厚度至少在300微米以上，给TSV制造带来显著难度，举例来说：TSV直径在25微米以下时，TSV深度比较大，难以完全填充，TSV直径在30微米以上时，完全填充TSV容易导致因热应力造成碎片、电镀时间过长，造价较高等问题；其次，采用硅帽盲腔，并通过金属键合芯片，虽然实现了多芯片之间的隔离，但并未提供相邻芯片互连结构，不利于芯片间电性互连优化。

发明内容

本发明的目的在于提供一种隔离封装结构及其制造方法，以解决现有的射频或微波多芯片系统的TSV结构成本高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种隔离封装结构的制造方法，所述隔离封装结构的制造方法包括：

在晶圆上形成阶梯孔结构，所述阶梯孔结构具有多个侧壁高度不同的孔结构；

对所述阶梯孔结构的侧壁和表面进行金属化工艺，形成金属屏蔽层；

将一个或多个芯片贴装至转接板上，在所述转接板上附连一个或多个金属连接线，每个所述金属连接线至少与一个所述芯片电性连接；

将所述晶圆附连至所述转接板上，使所述芯片及所述金属连接线容置于所述阶梯孔结构的内部；

在所述阶梯孔结构的内部填充绝缘材料；

对所述晶圆的表面进行研磨直至暴露出至少一个所述金属连接线；

在所述晶圆的表面形成第一再分布线层，所述第一再分布线层将至少一个所述金属连接线的电性引出。

可选的，在所述的隔离封装结构的制造方法中，所述在晶圆上形成阶梯孔结构包括：

对所述晶圆进行第一次光刻工艺，在所述晶圆的表面上形成第一刻蚀掩膜；

对所述晶圆进行第一次干法或湿法刻蚀，在所述晶圆的表面上形成第一阶梯平台，所述第一刻蚀掩膜覆盖处形成第一阶梯面；

对所述晶圆进行第二次光刻工艺，在所述晶圆的表面上形成第二刻蚀掩膜；

对所述晶圆进行第二次干法或湿法刻蚀，在所述第一阶梯平台的表面上分别形成第二阶梯镂空结构和第二阶梯面；

所述第一阶梯面高于所述第二阶梯面。

可选的，在所述的隔离封装结构的制造方法中，所述晶圆的厚度为330微米～370微米；

所述第一阶梯平台相对于所述第一阶梯面的深度为10微米～30微米，所述第二阶梯镂空结构相对于所述第一阶梯平台的深度为320微米～340微米。

可选的，在所述的隔离封装结构的制造方法中，所述转接板通过下列步骤制作：

衬底附连至载具上；