[发明专利]一种非易失性存储器的制备方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器的制备方法，属于集成电路技术领域。本发明的制备方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底中形成至少两个隔离结构，每个所述隔离结构的顶面高于所述衬底表面；采用等向性蚀刻在所述隔离结构侧壁与相邻所述衬底侧壁之间形成一凹部；在所述衬底表面及所述衬底侧壁上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成栅极层，所述栅极层覆盖所述隧穿氧化层和所述凹部。本发明形成的栅极与衬底之间形成多个电流隧穿通道控制面，有效的提高了栅极对于电流隧穿通道的控制能力，减少漏电，提高了非易失性存储器的饱和电流。