[发明专利]一种非易失性存储器的制备方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底中形成至少两个隔离结构，每个所述隔离结构的顶面高于所述衬底表面；

采用等向性蚀刻在所述隔离结构侧壁与相邻所述衬底侧壁之间形成一凹部；

在所述衬底表面及所述衬底侧壁上形成隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层上形成栅极层，所述栅极层覆盖所述隧穿氧化层和所述凹部。

2.根据权利要求1所述一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，所述栅极层包括层叠设置的浮栅层、介电层和控制栅层。

3.根据权利要求1所述一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，所述凹部和所述衬底侧壁邻接的曲面的曲率半径与所述凹部和所述隔离结构侧壁邻接的曲面的曲率半径不相同。

4.根据权利要求1所述一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，所述栅极层的形成步骤包括：

在所述隧穿氧化层上形成浮栅层，所述浮栅层覆盖所述隧穿氧化层、所述凹部及所述隔离结构；

平坦化所述浮栅层，暴露所述隔离结构的表面。

5.根据权利要求4所述一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，所述栅极层的形成步骤还包括：

在所述浮栅层及所述隔离结构的表面上形成介电层；

图案化所述介电层，形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露所述隔离结构的表面。

6.根据权利要求5所述一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，所述栅极层的形成步骤还包括：

在所述介电层上形成控制栅层，所述控制栅层填充所述第二沟槽；

图案化所述控制栅层，暴露所述隔离结构的表面。

7.根据权利要求1所述一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，所述等向性蚀刻为湿法刻蚀。

8.根据权利要求1所述一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，所述隔离结构的形成过程包括：

在所述衬底上形成垫氧化层和阻挡层；

刻蚀所述阻挡层、所述垫氧化层和所述衬底，形成第一沟槽。

9.根据权利要求8所述一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，所述隔离结构的形成过程还包括：

在所述第一沟槽内沉积绝缘材料；

使所述绝缘材料的上表面与所述阻挡层的上表面齐平。

10.根据权利要求9所述一种非易失性存储器的制备方法，其特征在于，所述隔离结构的形成过程还包括：

对所述第一沟槽内沉积的所述绝缘材料表面进行平坦化处理后去除所述阻挡层。