[发明专利]一种氮化铝-氧化铝薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明提供了一种氮化铝‑氧化铝薄膜及其制备方法和应用，属于电子器件技术领域。本发明提供的氮化铝‑氧化铝薄膜的制备方法先将衬底升温至150～350℃，得到待沉积硅衬底；在真空条件下，向原子层沉积室通入三甲基铝气流，得到第一原子沉积层；通过氮气流吹扫对原子层沉积室进行净化，然后向原子层沉积室通入氨水气流，得到第一氮化铝‑氧化铝沉积层；通过氮气流吹扫对原子层沉积室进行净化；重复通入三甲基铝气流‑净化‑通入氨水气流‑净化的步骤，在待沉积硅衬底上得到氮化铝‑氧化铝薄膜。本发明得到的氮化铝‑氧化铝薄膜具有较低的漏电流密度，介电性能优异。