[发明专利]一种氮化铝-氧化铝薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种氮化铝-氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在原子层沉积室内放置硅衬底，将所述硅衬底升温至150～350℃，得到待沉积硅衬底；

(2)在真空条件下，向原子层沉积室通入三甲基铝气流，在待沉积硅衬底上得到第一原子沉积层；

(3)通过氮气流吹扫对原子层沉积室进行净化，然后向原子层沉积室通入氨水气流，在待沉积硅衬底上得到第一氮化铝-氧化铝沉积层；所述氨水气流为氨和水蒸气的混合气流；

(4)通过氮气流吹扫对原子层沉积室进行净化；

(5)重复通入三甲基铝气流-净化-通入氨水气流-净化的步骤，在待沉积硅衬底上得到氮化铝-氧化铝薄膜，所述重复的次数为0次以上。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述三甲基铝气流由三甲基铝在环境温度下自然挥发得到。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述三甲基铝气流的通入时间为50～300ms。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氨水气流由氨水在环境温度下自然挥发得到，所述氨水的质量浓度为23～27％。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述氨水气流的通入时间为50～300ms。

6.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述真空条件为绝对压力≤10mbar的条件。

7.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述氮气流的流量为900～1100sccm；所述净化的时间为3～10s。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，通入三甲基铝气流、氨水气流和氮气流的管路均与混合装置连通，所述混合装置的气体排出口与原子层沉积室连通，且通入三甲基铝气流和氨水气流时，均维持所述氮气流为通入状态。

9.权利要求1～8任一项所述的制备方法得到的氮化铝-氧化铝薄膜。

10.权利要求9所述的氮化铝-氧化铝薄膜在电子器件中的应用。