[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质在审
| 申请号： | 202010193528.0 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111755355A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 西田圭吾;尾崎贵志;平野敦士 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质，能控制在多个基板上形成的薄膜的基板间膜厚分布。本发明的半导体装置的制造方法包括：(a)将多个第一基板和表面积比第一基板小的第二基板在与面方向垂直的方向上排列并容纳在处理室内的工序，和(b)向排列有多个第一基板和第二基板的基板排列区域供给处理气体，从而在多个第一基板上形成薄膜的工序；(b)中，向包括排列有多个第一基板的至少一部分的区域且不包括排列有第二基板的区域的第一供给区域供给稀释气体或不实施稀释气体的供给的同时，向作为第一供给区域以外区域的包括排列有第二基板的区域的第二供给区域，以比向第一供给区域供给的稀释气体流量大的流量供给稀释气体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 处理 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
