[发明专利]阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 202010190178.2 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111383998B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 朱茂霞;徐洪远 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 刁文魁 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制作方法。阵列基板包括公共电极走线以及栅极走线；所述公共电极走线的表面为亲水性；所述栅极走线设于部分所述公共电极走线上，在所述公共电极走线的表面无光阻层残留。本发明通过将公共电极走线表面的亲油性或称疏水性改变为亲水性，能够减少公共电极走线与光阻层的黏附性，从而防止在制作过程中造成公共电极走线表面残留光阻层，可以较大程度提升公共电极走线的透过率，从而提升像素开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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