[发明专利]阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制作方法。阵列基板包括公共电极走线以及栅极走线；所述公共电极走线的表面为亲水性；所述栅极走线设于部分所述公共电极走线上，在所述公共电极走线的表面无光阻层残留。本发明通过将公共电极走线表面的亲油性或称疏水性改变为亲水性，能够减少公共电极走线与光阻层的黏附性，从而防止在制作过程中造成公共电极走线表面残留光阻层，可以较大程度提升公共电极走线的透过率，从而提升像素开口率。

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

随着液晶显示器(TFT-LCD)市场竞争激烈，高解析度机种不断发展，但同时会导致像素开口率低，从而带来面板亮度较低和背光成本升高的问题。所以提高像素开口率成为液晶显示器不断发展需要重点考虑的问题。

开口率指除去每一个次像素的配线部、晶体管部分后的光线通过部分的面积和每一个次像素整体的面积之间的比例。通常不透光的面积包括数据走线，栅极走线，薄膜晶体管(TFT)本身还有储存电容，还包括不受电压控制采用黑色矩阵(black matrix)遮蔽区。一般储存电容采用设置于栅极走线或公共电极走线上方的设计，目前厂内像素设计通常采用储存电容设置于公共电极走线上方的设计，这种设计可以避免电容耦合效应，但由于需要额外增加电极走线，所以它的开口率是比较低的。

由于传统阵列基板的公共电极走线是金属材质会遮光，导致开口率较低，采用氧化铟锡(ITO)作为公共电极走线，可以显著增加其开口率，为了不增加一道光罩成本，采用半透膜掩膜板(Half-tone mask，HTM)对氧化铟锡层和金属层进行曝光制作公共电极走线和栅极走线，使阵列基板的公共电极走线区域可以透光，从而增加像素开口率，具体流程如图1所示。在沉积金属层92前先沉积一氧化铟锡层91作为公共电极走线，再沉积金属层92作为栅极走线，再上面涂布一光阻层93(PR)，用一道灰阶掩膜板(gray tone mask，GTM)或半透膜掩膜板(half-tone mask，HTM)形成有梯度的光阻层93膜厚，使栅极走线处不曝光形成较厚的光阻层93，公共电极走线电极上形成较薄的光阻层93，其他区域光阻层93被完全曝光而被显影去掉。紧接着，用铜酸和草酸分别湿法刻蚀掉没有光阻层93保护的金属层92和氧化铟锡层91，然后用氧气等离子体(O₂ plasma)对光阻层93进行除尘(Ashing)处理，使较薄的光阻层93消失，较厚的光阻层93变薄。接着用双氧水系铜酸刻蚀金属层92，其可以避免对氧化铟锡层91进行刻蚀。接着，用光阻剥离液去除光阻层93。

但目前存在问题是由于对光阻层93进行除尘后存在光阻颗粒94，即湿法刻蚀后光阻颗94粒粘附在氧化铟锡层91表面不能被剥离掉，从而氧化铟锡层91表面出现较多光阻颗粒94残留，会较大程度影响公共电极走线的透过率，从而影响像素开口率。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制作方法，解决了中在氧化铟锡材质的公共电极走线表面残留光阻层，较大程度地影响公共电极走线的透过率，从而影响像素开口率的技术问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括步骤：

在一玻璃基板上制作一衬底层，并对所述衬底层进行紫外光照射(EUV)处理，将其表面的疏水性改变为亲水性；

在所述衬底层上制作一金属层；

在所述金属层上通过涂布光刻胶的方式制作光阻层，并对所述光阻层进行图案化处理；在预制作栅极走线位置对应形成第一光阻层，在预制作公共电极走线位置对应形成第二光阻层，所述第二光阻层的厚度小于所述第一光阻层的厚度；

对所述金属层进行第一次刻蚀，形成图案化的栅极走线；

对所述衬底层进行刻蚀，形成图案化的公共电极走线；

对所述光阻层进行除尘(Ashing)处理，去除所述第二光阻层，并使得所述第一光阻层变薄；