[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：

在一玻璃基板上制作一衬底层，并对所述衬底层进行紫外光照射处理，将其表面的疏水性改变为亲水性；

在所述衬底层上制作一金属层；

在所述金属层上通过涂布光刻胶的方式制作光阻层，并对所述光阻层进行图案化处理；在预制作栅极走线位置对应形成第一光阻层，在预制作公共电极走线位置对应形成第二光阻层，所述第二光阻层的厚度小于所述第一光阻层的厚度；

对所述金属层进行第一次刻蚀，形成图案化的栅极走线；

对所述衬底层进行刻蚀，形成图案化的公共电极走线；

对所述光阻层进行除尘处理，去除所述第二光阻层，并使得所述第一光阻层变薄；

对所述金属层进行第二次刻蚀，在所述公共电极走线的表面无光阻层残留；以及

剥离所述第一光阻，形成阵列基板。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述衬底层的材质包括氧化铟锡。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述衬底层进行紫外光照射处理的时间至少为10秒。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，被紫外光照射处理后的所述衬底层的接触角为10°-15°。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属层的材质包括铜。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，通过采用灰阶掩膜板、狭缝掩膜板或半透膜掩膜板对所述光阻层进行图案化处理。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，使用氧气等离子体对所述光阻层进行除尘处理。

8.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，通过湿法刻蚀的方式对所述金属层进行第一次刻蚀、第二次刻蚀。

9.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，通过湿法刻蚀的方式对所述衬底层进行刻蚀形成图案化的公共电极走线。

10.一种阵列基板，其特征在于，包括：

公共电极走线，其表面为亲水性；以及

栅极走线，设于部分所述公共电极走线上；在所述公共电极走线的表面无光阻层残留。