[发明专利]存储器阵列、集成组合件、形成位线的方法以及形成集成组合件的方法在审

专利信息
申请号: 202010186390.1 申请日: 2020-03-17
公开(公告)号: CN112071839A 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 祐川光成;竹谷博昭 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请涉及一种存储器阵列、集成组合件、形成位线的方法以及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件,所述集成组合件具有通过中间空隙而彼此间隔开的位线。绝缘支撑物处于所述位线上方。导电板由所述绝缘支撑物支撑并且靠近所述位线以从所述位线排出过量电荷。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。将堆叠形成为具有处于位线材料上方的绝缘材料。将所述堆叠图案化成沿着第一方向延伸的轨道。所述轨道包含作为位线的经过图案化的位线材料,并且包含作为所述位线上方的绝缘支撑物的经过图案化的绝缘材料。所述轨道沿着与所述第一方向正交的第二方向通过空隙彼此间隔开。在所述空隙内形成牺牲材料。在所述绝缘支撑物和所述牺牲材料上方形成导电板。从所述导电板下方移除所述牺牲材料以重新形成所述空隙。
搜索关键词: 存储器 阵列 集成 组合 形成 方法 以及
【主权项】:
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